Reivindicaciones

1. REIVINDICACIONES 2. 1. Material híbrido orgánico -inorgánico que comprende un conductor orgánico como matriz y nanoestructuras de óxidos transparentes conductores (TeO) como relleno caracterizado porque el conductor orgánico es el polímero PEDOT:PSS y las nanoestructuras de óxidos transparentes se dispersan en dicho polímero en una proporción preferiblemente entre 0,25 y 5% en peso, si bien también pueden dispersarse en un rango de proporciones mayor (0.1 -10 % en peso). 3. 2. Material híbrido orgánico -inorgánico, según reivindicación 1, donde las nanoestructuras son nanopartículas de óxido de estaño y/o titanio sin dopar o dopadas con er, Al, o Li con porcentajes catiónicos preferiblemente entre 10-30 % y tamaños entre 5 y 50 nm. 4. 3. Material híbrido orgánico inorgánico, según reivindicación 1, donde las nanoestructuras son nanohilos de óxido de estaño y/o titanio sin dopar o dopados con er, Al, o Li con porcentajes catiónicos entre 10-30 % y secciones de pocas decenas de nm y longitudes de cientos de nm. 5. 4. Material híbrido orgánico -inorgánico, según reivindicación 1, donde las nanoestructuras son una mezcla en porcentaje controlado de nanohilos y nanopartículas de óxido de estaño y/o titanio sin dopar o dopados con er, Al, o Li, descritos en las reivindicaciones 2 y 3. 6. 5. Material híbrido orgánico -inorgánico, según reivindicación 1, donde las nanoestructuras corresponden a nanotubos de carbono, nanopartículas o nanohilos de Si, AbO), SiNx, o una mezcla de los anteriores. 7. 6. Material híbrido orgánico -inorgánico, según reivindicaciones anteriores, donde se añade como dispersante EG a la dispersión del conductor orgánico. 8. 7. Método de fabricación del material híbrido orgánico -inorgánico reivindicado que 9. comprende: Preparar una dispersión acuosa del conductor polimérico Preparar las nanoestructuras de óxidos transparentes conductores por técnicas como hidrolisis, variantes del método de Pechini o método vaporsólido. 10. Anadir a la dispersión acuosa del oonductor polimérico las nanoeslructuras en una proporción menor al 10% en pe.~o re~peclO a la di~persión acuosa, preferiblemente en un rango enlre 0.25 y 5 % en peso, y dispersar mediante ul1ra-son ieae ión. 11. 1I. Método de pasivación que comprende la deposición mediante la lécnica $pin-(;IJuling dc una o varias láminas del material reivindicado sobre un sustrato y, posteriormente, eliminar el agua. 12. Metodo de pasivación, según reivindicación 8, donde el agua se elimina por tratamiento tennico a 120 oC durante 20 minutos, 13. ¡O. Método de pa.~ivadón, según reivindicación 8, donde [a lámina liene un espesor menor a 200 nm. 14. 11, Método de pasivación, segiln reivindicaciones 7 a 10, donde el subslrato a p.1sivar sea silicio sin tratar. 15. 12. Método de pasivación, segun reivindicación 11, donde el substrato a pasivar sea silicio recubierto por una capa de óxido de silicio. 16. 1). Método de pasivación, según reivindicadones 8 a 12. donde se trala con ]PA el sustrato de silicio para aumentar la hidrofi[ia del sustrato. 17. 14. Método de pasivación. según reivindicaciones 8 a 13, donde la capa de pasivación contiene dos o más lAminas compuestas apiladas mediante spin-coating con grad iente de concentrAciones de nanocstructuras de dislintos tipos y maleriales disenadas a dem:¡ndB , 18. JO 19. - Vl 20. :1. 280 21. ..... 22. "'O o 240 ro 23. ..... 24. ..... 25. o 200 26. c.. Q) 160 27. "'O 28. ro 29. "'O 120 30. ':; 31. Q) 80 32. "'O 33. o 34. c.. 40-E 35. Q) 36. ¡:: 37. Figura 1 38. Valores máximos 39. ! .-o-Iluminación desde el lado PEDOT:PSS 40. .. 41. :', -. Iluminación desde el lado a-Si 42. , . 43. , . 44. , I • . 45. I, . • I • •" , 46. I 47. f ~-, 48. ! '''::--.. 49. I ...... 50. ::! ---: :. -----. ----------. 51. jI 0 .....---------··-0 52. .; 53. ;. 54. ~; 55. . 56. rí, , . , O 1 2 3 4 5 57. Concentración Sn0(% peso) 58. Figura 2