Resumen
Graphene covalently modified. The present invention is directed to a system in which the electronic properties of graphene can be modified in a controlled manner. In this system, graphene is chemically functionalized with alkyl molecules that are covalently bound to the carbon atoms of graphene. The degree of coating of the graphene layer of the present invention makes it possible to regulate the opening of the banned energy band in the graphene energy band diagram. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)
Reivindicaciones
1. REIVINDICACIONES 2. 1. Sistema que comprende una capa de grafeno dispuesta sobre la superficie metálica de una pieza metálica formada por un melal de transición 5d o una combinación de 3. 5 metales de transición 5d, donde la capa de grafeno presenta una superestructura de Moiré, y donde el sistema se caracteriza porque la capa de grafeno presenta átomos de carbono enlazados covalentemente a derivados alquílicos. 4. 2. Sistema según la reivindicación 1, donde los átomos de carbono enlazados 5. 10 covalenlemenle a derivados alquílicos están ubicados en las regiones reactivas de la celda unidad que forma la superestructura de Moiré. 6. 3. Sistema según cualquiera de las reivindicaciones 1 y 2, donde los átomos de 7. carbono enlazados covalentemente a derivados alquílicos siguen un patrón de 15 ordenación. 8. 4. Sistema según cualquiera de las reivindicaciones 1-3, en donde el metal de 9. transición 5d que forma la superficie metálica se selecciona de Ru, Rh, Pd Y combinaciones de los mismos. 10. 5. Sistema según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, en donde los derivados 11. alfa-alquílicos son seleccionados de: -nitrilos de fórmula RCN, -aldehídos de fórmula RCHO, 12. 25 -iminas de fórmula RCHNR1, -ácidos carboxílicos de fórmula RCOOH, -ésteres de fórmula RCOOR1, -derivados halogenados de ácidos carboxílicos de fórmula RCOX, -amidas de fórmula RCONHR, y 13. 30 -combinaciones de los mismos; donde R se selecciona de CH2 y de CHJ -(CH2k CH, siendo n=O-6; donde Rl se selecciona entre un grupo CH3 y CHJ -(CH2)n, siendo n=1-6; y X se selecciona entre F, el, Br y 1. 14. 35 6. Capa de grafeno que contiene átomos de carbono enlazados covalentemente a derivados alquílicos, donde los átomos de carbono enlazados están ubicados en las regiones reactivas de la capa de grafeno. 15. 7. Capa de grafeno según la reivindicación 6, caracterizada porque los átomos de carbono enlazados covalentemente a derivados alquílicos siguen un patrón de ordenación. 16. 8. Capa de grafeno según cualquiera de las reivindicaciones 6 y 7, que contiene átomos de carbono enlazados covalentemente a derivados alfa-alquílicos seleccionados de: 17. nitrilos de fórmula RCN , aldehídos de fórmula RCHO, 18. 10 iminas de fórmula RCHNR1, ácidos carboxílicos de fórmula RCOOH, ésteres de fórmula RCOOR1, derivados halogenados de ácidos carboxílicos de fórmula RCOX, amidas de fórmula RCONHR y 19. 15 combinaciones de los mismos; donde R se selecciona de CH2 y de CHJ-(CH2k CH, siendo n=0-6; donde R1 se selecciona de una cadena alquílica CHJ-(CHdn, siendo n=O-6; y X se selecciona entre F, CI, Br y 1. 20.  20	9.	Método de obtención de	un sistema según cada una de las reivindicaciones 1 a 5 21.  que comprende las siguientes etapas: 22.  a)	limpieza de la superficie metálica de una pieza metálica formada por un metal de 23.  transición 5d o por una combinación de dichos metales, en condiciones de ultra 24.  alto vacío; 25.  25	b)	crecimiento de una capa de grafeno sobre la superficie metálica obtenida en la 26.  etapa a) a partir de un precursor de átomos de carbono; y 27.  c)	exposición de la superficie de la capa de grafeno obtenida	en	la etapa b) a 28.  radicales de derivados alquílicos. 29. 10. Método según la reivindicación 9, donde el metal que forma la superficie metálica es un metal de transición 5d seleccionado de Ru, Rh, Pd Y combinaciones de los mismos. 30. 11. Método según cualquiera de las reivindicaciones 9 y 10, en donde el crecimiento de 35 la capa de grafeno sobre la superficie metálica se realiza mediante deposición química en fase vapor (eVD) o mediante crecimiento epitaxial en condiciones de ultra-alto vacío. 31. 12. Método según cualquiera de las reivindicaciones 9 a 11 , en donde en la etapa c) 32. 5 menos del 40% de las regiones reactivas de la capa de grafeno presentan átomos de carbono enlazados a radicales derivados alquílicos. 33. 13. Método según cualquiera de las reivindicaciones 9 a 12, que además comprende una 34. etapa adicional en la que la capa de grafeno resultante de la etapa c) es separada de 10 la pieza metálica. 35. 14. Sistema obtenible según el método definido en las reivindicaciones 9-11. 36. 15. Sistema obtenible según el método definido en la reivindicación 12, en donde los 37. 15 carbonos de la capa de grafeno enlazados a radicales derivados alquílicos siguen un patrón de ordenación. 38. 16. Capa de grafeno obtenible según el método definido en la reivindicación 13. 39. 20 17. Capa de grafeno obtenible según el método definido en la reivindicación 13, en el que los carbonos enlazados a derivados alquílicos siguen un patrón de ordenación. 40. 18. Uso de la capa de grafeno según las reivindicaciones 6-8 y 16-17 como semiconductor. 41. 19. Uso según la reivindicación 18, donde el semiconductor se emplea en dispositivos eléctricos. 42. 20. Uso según la reivindicación 18, donde el dispositivo eléctrico es un diodo.
