Reivindicaciones

1. 1. Método para la fabricación de una célulasolar de banda intermedia caracterizado porque el materialde banda intermedia se fabrica por implantación fónica de titanioen un substrato de silicio cristalino y el material que se utilizapara el emisor frontal que recubre la capa de titanio es silicioamorfo hidrogenado dopado. 2. 2. Método para la fabricación de una célulasolar de banda intermedia según la reivindicación (1) caracterizado porque el material que se utiliza para elemisor posterior que recubre la capa de titanio también es silicioamorfo hidrogenado con un dopaje de tipo contrario al delemisor. 3. 3. Método para la fabricación de una célulasolar de banda intermedia según las reivindicaciones (1) ó (2) caracterizado porque el material de banda intermedia se creapor implantación fónica en la que el titanio se sustituye por unelemento que da lugar a un centro profundo en el silicio situado amás de 0.1 eV de la banda de conducción y de la banda de valenciacontados hacia el centro del gap. 4. 4. Método para la fabricación de una célulasolar de banda intermedia según las reivindicaciones (1) ó (2) ó (3) en la que entre la capa de material de banda intermedia y elemisor frontal se incluye una capa de silicio amorfo hidrogenado nodopado. 5. 5. Método para la fabricación de una célulasolar de banda intermedia según las reivindicaciones (1) ó (2) ó (3) ó (4) en el que emisor posterior está separado del substrato desilicio cristalino por una capa de silicio amorfo hidrogenado.