Reivindicaciones
1. 1. Procedimiento para la obtención de unmonocristal en volumen de Cd1-xZnxTe quecomprende llevar a cabo las siguientes etapas: 2. - una rampa de calentamiento común a todos loselementos calefactores, que comienza a temperatura ambiente hastaalcanzar en 8 horas los 500ºC, 3. - mantener dicha temperatura 12 horas; 4. - una rampa de calentamiento independiente paracada elemento calefactor, desde la temperatura alcanzada anteriorhasta las temperaturas finales de cada una de las zonas en 10 horas, de modo que los elementos calefactores Z1 y Z5 alcancen 1000ºC detemperatura; Z2 y Z4 1100ºC; y Z3 1110ºC, 5. - mantener estas temperaturas durante 12horas; 6. - desplazar el perfil alcanzado en la etapaanterior mediante la reducción de la temperatura del elementocalefactor Z2 hasta 1020ºC de temperatura, e incremento simultáneode la temperatura en el elemento calefactor Z5 hasta 1050ºC a lolargo de 160 horas y manteniendo la temperatura del resto de loselementos calefactores Z1, Z3 y Z4 constante, 7. - rampa de enfriamiento desde las temperaturasalcanzadas para cada uno de los elementos calefactores al final dela etapa de crecimiento anterior hasta una temperatura de 800ºC en10 horas; 8. - reducir las temperaturas hasta los 500ºCdurante 100 horas; 9. - rampa de enfriamiento hasta los 290ºC durante8 horas, 10. - enfriar hasta temperatura ambiente durante 5horas. 11. 2. Procedimiento según la reivindicación 1, quecomprende además las siguientes etapas previas al proceso decrecimiento: 12. 1) 13. 2) 14. 3) 15. 4) 16. 5) 17. 6) 18. 7) 19. 8) 20. 9) 21. 10) 22. 3. Aparato para la puesta en práctica delprocedimiento según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 2, que comprende los siguientes elementos: 23. - cincoelementos calefactores (1) que consisten en cinco hornos Z1, Z2, Z3, Z4 y Z5, independientes entre sí, y dispuestos en vertical; 24. - cincotermopares de medida (3) situados cada uno en el centro geométricode cada uno de los cinco hornos; 25. - dosdiscos metálicos de aluminio (8) ; 26. - unaampolla de crecimiento (5) ; 27. - unsoporte (9) formado por un tubo de cuarzo exterior en cuyo interiorse encuentra centrado un tubo interior de cuarzo (10) . 28. 4. Aparato según la reivindicación 3, en el quelos cinco elementos calefactores (1) , están dispuestos en vertical, presentan una longitud total de 60 cm y presentan unas dimensionesindividuales de 16 cm de diámetro exterior, y de 12 cm de altura, con un orificio interior de diámetro 4 cm. 29. 5. Aparato según la reivindicación 3 o 4, en elque cada elemento calefactor está asociado a un termopar situado enel centro geométrico de cada elemento (3) . 30. 6. Aparato según una cualquiera de lasreivindicaciones 3, 4 o 5, en el que cada elemento calefactor estárecubierto por una capa de 20 cm de manta de alúmina (4) y elconjunto se cierra con una cubierta metálica de aluminio (11) deespesor 1.5 mm. 31. 7. Aparato según una cualquiera de lasreivindicaciones 3-6, en el que los discos metálicosde aluminio (8) cuyas dimensiones son 36 cm de diámetro exterior y3, 0 mm de espesor se colocan entre los hornos Z1-Z2y Z4-Z5. 32. 8. Aparato según una cualquiera de lasreivindicaciones 3 a 7, que utiliza un software diseñado para laprogramación de las distintas etapas del procedimiento decrecimiento de las reivindicaciones 1 o 2. 33. 9. Aparato según una cualquiera de lasreivindicaciones 3 a 8, en el que la ampolla de crecimiento (5) esde cuarzo, y presenta 18 mm de diámetro interior, 2, 0 mm de espesory una longitud de 500 mm; presenta además uno de los extremoscerrado en forma de semiesfera y un estrangulamiento a 250 mm, demodo que soporta un cilindro de cuarzo que sirve para el sellado dela misma. 34. 10. Aparato según una cualquiera de lasreivindicaciones 3 a 9, en el que la ampolla de crecimiento estáapoyada sobre un soporte (9) formado por un tubo de cuarzo exteriorde dimensiones similares a la ampolla de crecimiento en cuanto adiámetro interior, diámetro exterior y espesor y una longitud de 37cm, y en cuyo interior se encuentra centrado el tubo interior decuarzo (10) de 12 mm de diámetro exterior, 10 mm de diámetrointerior, y una longitud de 39 cm, sobre el que descansa la ampollade crecimiento, centrándose ambos tubos en la parte superior einferior con manta de alúmina prensada. 35. 11. Aparato según una cualquiera de lasreivindicaciones 3 a 10, que comprende un conjunto de termopares demedida de Pt/Pt-Rh (10%) ubicados en elinterior del tubo de cuarzo y colocados en las siguientesposiciones: un termopar en el origen, en contacto directo con elextremo cerrado semiesférico de la ampolla de crecimiento quecontiene el material a cristalizar y un termopar que se encuentra 2cm por debajo del anterior. 36. 12. Aparato según una cualquiera de lasreivindicaciones 3 a 11 que comprende además un conjunto adicionalde 8 termopares de medida de Pt/Pt-Rh (10%) (6) situados en el exterior de la ampolla de crecimiento, ubicadosde forma helicoidal, de modo que un primer termopar se encuentra enel origen, y continuación se localizan los siguientes 5 termoparescon una distancia de 15 mm entre cada uno y el anterior, y losúltimos 2 termopares con distancias de separación de 30 mm. 37. 13. Aparato según una cualquiera de lasreivindicaciones 3 a 12, que comprende un tubo de cuarzo protector (2) en el que se sitúa la ampolla de crecimiento de cuarzo de 100 cmde longitud, 32 mm de diámetro interior y 1, 5 mm de espesor. 38. 14. Aparato según una cualquiera de lasreivindicaciones 3 a 13, que comprende una plataforma metálica de12x15 cm que actúa como soporte de la ampolla de crecimiento. 39. 15. Monocristal obtenido según el procedimientode las reivindicaciones 1 a 2 con el aparato según cualquiera de lasreivindicaciones 3 a 14. 40. 16. Empleo del monocristal según lareivindicación 15, como detector de radiación X y Gamma, enmateriales fotoeléctricos y en células fotovoltaicas.
