Reivindicaciones

1. 1. Método para fabricar el diléctrico (5) de laPuerta (4) de un transistor MOSFET que comprende: 2. 2. Método según la reivindicación 1 en el que lanitruración se realiza en atmósfera de N2. 3. 3. Método según cualquiera de lasreivindicaciones 1 y 2 en el que la nitruración se realiza duranteentre 30 segundos y 60 minutos. 4. 4. Método según cualquiera de lasreivindicaciones anteriores en el que el bombardeo iónico del blancode partida en la técnica HPS se realiza con argón. 5. 5. Método según la reivindicación 4 en el que lapresión de argón es de entre 0.2 y 2 mbar. 6. 6. Método según la reivindicación 5 en el que lapresión de argón es de 0.5 mbar. 7. 7. Método según cualquiera de lasreivindicaciones anteriores en el que se incluye un tercer paso parala obtención del electrodo metálico superior (6) de la estructura dePuerta (4) que se realiza mediante HPS. 8. 8. Método según la reivindicación 7 en el que latécnica HPS se realiza por bombardeo de un blanco de TaN enatmósfera de Argón. 9. 9. Método según cualquiera de lasreivindicaciones anteriores en el que el sustrato (1) que se empleaes de Si tipo p. 10. 10. Método según cualquiera de lasreivindicaciones 1-8 en el que el sustrato (1) quese emplea es de Si tipo n.