Reivindicaciones

1. REIVINDICACIONES 1. Método de obtención de copos metálicos que comprende: - Seleccionar un sustrato semiconductor tipo n con una densidad de electrones mayor o igual a 410-6 electrones/cm3 estable en medio acuoso en condiciones de oscuridad pero que experimente corrosión en condiciones de iluminación. - Preparar una de las caras del sustrato seleccionado para conseguir un contacto óhmico; pulir la otra cara y, posteriormente, tratar dicha cara para obtener una superficie limpia sin óxido. - Transferir el sustrato así tratado a una celda electroquímica con un electrolito acuoso que contiene iones del metal a depositar sobre el sustrato (electrolito de crecimiento). La celda electroquímica está formada por tres electrodos: cátodo (sustrato semiconductor), ánodo y electrodo de referencia, conectados a un potenciostato con el que se registra el potencial de celda abierta (OCP). - Mantener el sustrato sumergido en la celda electroquímica hasta que la interfase sustrato-electrolito se estabilice y se alcance un OPC estable y mayor que el potencial de reducción de los cationes metálicos sobre el sustrato semiconductor. - Iluminar la celda electroquímica con luz de energía superior a la anchura de su banda de energía prohibida para modificar el OPC de modo que sea más negativo que el potencial de reducción de los cationes metálicos sobre el sustrato semiconductor. - Controlar el tiempo de iluminación para conseguir el espesor de copo deseado del rango de los nanómetros y con áreas de hasta los milímetros cuadrados, de forma que a mayor tiempo de iluminación, mayor espesor. 2. Método de obtención de copos metálicos, según reivindicación 1, que además comprende liberar los copos del sustrato sumergiendo en condiciones de oscuridad el sustrato semiconductor recubierto de copos en una disolución que ataca al sustrato pero no ataca al metal depositado. 3. Método de obtención de copos metálicos libres de sustrato, según reivindicaciones anteriores, donde el sustrato semiconductor es Si, GaAs, GaP, ZnO, CdS, InP, Cu<2>O o SiC.