Resumen
A method of manufacturing solar cells in germanium wafers is described, which involves thinning the back side of the wafer while maintaining a non-thinned area that supports it, and subsequently a conformation and chemical individualization of the cells. solar manufactured in the wafer without the need to use mechanical separation means, given the lesser thickness of said wafer before individualization. It is an easily scalable procedure, which allows working with wafers of low thickness, and therefore low weight, and to provide solar cells with any possible configuration, since there are no geometric limitations such as those associated with the use of saws for mechanical cutting. . (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)
Reivindicaciones
1. REIVINDICACIONES 1.- Un procedimiento de fabricación de células solares fotovoltaicas con oblea de germanio que comprende las siguientes etapas: a) depositar una primera capa protectora • sobre toda la superficie de la cara frontal de la oblea de germanio, la cual presenta al menos una capa de material semiconductor; y • sobre una parte de la superficie de la cara trasera de la oblea, siendo intercambiable el orden de ambos depósitos; b) realizar un primer ataque químico sobre el germanio de la cara trasera de la oblea, para reducir el espesor de la misma en toda la superficie no protegida por la capa protectora; c) incorporar un contacto eléctrico en la cara trasera de la oblea; d) retirar la primera capa de protección, tanto de la superficie frontal como de la trasera, y proceder con una acción de aleado de dicho contacto eléctrico; e) depositar un substrato de soporte sobre la cara trasera de la oblea, configurado para mantener la posición de las células solares durante su proceso de conformación y evitar que queden liberadas de forma incontrolada cuando se separan; f) depositar una segunda capa protectora en la cara frontal de la oblea y definir la forma o cuerpo de las células solares sobre dicha capa protectora mediante un proceso fotolitográfico, de tal forma que se deja, entre dichos cuerpos definidos en la capa protectora, una superficie de oblea sin protección que es al menos el doble del espesor de la oblea tras el primer ataque químico; g) realizar un segundo ataque químico, selectivo, para atacar la al menos una capa superior de material semiconductor desprotegida, sin atacar la oblea; h) eliminar los restos de la segunda capa protectora y depositar una tercera capa protectora que cubre la superficie superior previamente definida con la segunda capa protectora, incluyendo los laterales de los cuerpos de las células previamente definidos y parte del área de la capa de material semiconductor que queda expuesta con el segundo ataque químico, de manera que la superficie de la cara frontal desprotegida de la oblea que queda entre dichas partes de capa protectora es menor a la distancia de separación definida en la segunda capa de protección; y i) realizar un tercer ataque químico sobre el germanio de la oblea en la superficie desprotegida, de tal forma que las células quedan individualizadas y separadas entre sí, a la vez que fijadas al substrato de soporte de la cara trasera. 2. El proceso de la reivindicación 1, donde se depositan contactos eléctricos frontales sobre la superficie de la capa o capas semiconductoras, o bien antes de cubrir la superficie trasera con la primera capa protectora, o bien después del primer ataque químico de reducción de espesor de la oblea, o tras esta etapa y antes del resto de ataques químicos. 3. El proceso según una cualquiera de las reivindicaciones 1 ó 2, donde el substrato de soporte es una cinta adhesiva del tipo de las que pierde la adherencia bajo condiciones determinadas. 4. El proceso según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, donde la cinta adhesiva se deposita de una de las siguientes formas: 1) en toda la cara trasera de la oblea, incluyendo la parte donde se ha reducido el grosor como en el soporte como en la que permanece con el grosor original; o 2) sólo en la parte donde se reduce el grosor original de la oblea. 5. El proceso según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 4, donde el espesor de la oblea se reduce por debajo de las 85 micras. 6. El proceso según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 5, donde la primera, la segunda y la tercera capas protectoras son capas de polímero, iguales o diferentes entre sí. 7. El proceso según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 6, donde la parte de la oblea que se mantiene con su espesor original haciendo de soporte tiene una de las formas seleccionadas dentro del grupo compuesto por: un anillo perimetral alrededor de la cara trasera de la oblea; una estructura geométrica de patrón regular o irregular; y una combinación del anillo perimetral con una estructura geométrica de patrón regular o irregular. 8. El proceso según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 7, donde el contacto trasero se incorpora en la etapa c) por evaporación. 9. El proceso según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 8, donde las zonas desprotegidas en la tercera capa protectora tienen una anchura menor a 5^m, superficie que queda expuesta y desprotegida, dispuesta para ser atacada. 10. El proceso según una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 9, donde el agente químico utilizado para atacar el germanio en el primer ataque químico de la cara trasera de la oblea y en el tercer ataque donde se individualizan las células) es H3PO4:H2O2:H2O, en una proporción de 1:6:3.
