Resumen
Method for the selective doping of a semiconductor by laser-induced transfer, comprising a precursor system (200) composed of at least one absorbent layer (202) to laser radiation, with a dopant solution (203) and a transparent support (201) ), which is placed facing and in direct contact with the receiver system (300) where the semiconductor substrate (301) is integrated and irradiated with one or more pulses of a laser beam (100) focused on the interface between the source and the substrate, causing the transfer of material from the source to the substrate and the introduction of dopant atoms from the source into the semiconductor substrate. The substrate (301) is preferably a silicon wafer with a front face (302) and a back face (303) with dielectric anti-reflective passivating layers. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)
Reivindicaciones
1. 1. MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER, caracterizado porque que incluye los siguientes pasos: 2. -fabricación de un sistema precursor (200) que contiene varias capas de materiales dopantes tipo p, donde al menos una de ellas es una capa absorbente 3. (202) a la radiación láser; 4. -colocación del sistema precursor (200) enfrentado y en contacto directo con el sistema receptor (300) donde se integra el substrato (301) semiconductor; 5. irradiación con uno o más pulsos de un haz láser (100) focal izados en la interfaz entre la fuente y el substrato de todo el conjunto de ambos sistemas precursor y receptor, provocando la transferencia de material proveniente de la fuente hacia el substrato y la introducción de átomos dopantes provenientes de la fuente dentro del substrato semiconductor. 6. 2. MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER, según la reivindicación 1, caracterizado porque el sistema precursor (200) comprende una capa de soporte transparente (201) a la radiación láser donde se depositan el resto de capas que conforman dicho sistema precursor (200) . 7. 3. MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR 8. LÁSER, según la reivindicación 1 ó 2, caracterizado porque la capa absorbente (20) es la primera capa de material que encuentra el láser en su trayectoria y es una capa de aluminio que actúa a la vez como donante de átomos tipo p. 9. 4. MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER, según cualquiera de las reivindicaciones 1-3, caracterizado porque al menos una de las capas del sistema precursor (200) es una solución dopante (203) de Boro solidificada. 10. 5. MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER, según cualquiera de las reivindicaciones 1-4, caracterizado porque el substrato (301) semiconductor está recubierto en su cara frontal (302) y posterior 11. (303) de capas pasivantes y antirreflejo dieléctrica, permitiendo la posterior consecución de un buen contacto óhmico. 12. 6. MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER, según cualquiera de las reivindicaciones 1-4, caracterizado porque el sustrato (301) es una oblea de silicio n y las regiones p+ obtenidas son usadas como emisor de una célula solar. 13. 7. MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER, según la reivindicación 6, caracterizado porque las regiones p+ (304) obtenidas son usadas para generar un campo posterior en superficie (BSF) de una célula solar de silicio cristalino tipo p, para lo cual se crean regiones n+ (305) mediante dopado asistido por láser a partir de la capa pasivante posterior (303) que actúa a la vez como fuente de dopantes tipo n. 14. 8. MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER, según la reivindicación 7, caracterizado porque antes de depositar los contactos se realiza una limpieza con ácido fluorhídrico diluido para retirar el óxido de silicio que haya podido crecer sobre las regiones puntuales dopadas de ambas superficies, y a continuación se depositan los electrodos metálicos frontal (400) y posterior (500) por evaporación térmica o con haz de electrones de metales adecuados para contactar los diferentes tipos de dopado. 15. 9. MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER, cualquiera de las reivindicaciones 1-8, caracterizado porque, para llevar a cabo la irradiación en distintos puntos del sustrato, el haz láser (100) se mueve respecto al conjunto de sistemas precursor (200) y receptor (300) , bien mediante motores que desplazan el cabezal láser o bien mediante espejos galvanométricos motorizados. 16. 10. -MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER, cualquiera de las reivindicaciones 1-8, 17. caracterizado porque, para llevar a cabo la irradiación en distintos puntos del sustrato, se mueve el conjunto de sistemas precursor (200) y receptor (300) respecto al haz láser (100) 18. 11. MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER, cualquiera de las reivindicaciones 1-8, caracterizado porque, para llevar a cabo la irradiación en distintos puntos del sustrato, se combinan el movimiento del haz láser (100) y del conjunto de sistemas precursor (200) y receptor (300) . 19. FIG.1 20. FIG.2 21. FIG.3 22. 1. --302 23. 4. 1---301 24. 1. --303 25. FIG.4 26. FIG.5
