Reivindicaciones
1. REIVINDICACIONES 2.  1.	Un procedimiento de obtención de nanohilos de silicio que comprende las 3.  siguientes etapas: 4.  5	a) adecuación de la superficie de un sustrato mediante la deposición de esferas de 5.  diámetro de entre 100 nm y 10 J.lm que se seleccionan de la lista que comprende 6.  Si02• de e, de Fe20 3. de C030 4, de Mo, de Ti02 o cualquiera de sus 7.  combinaciones, o de una película porosa con un tamaño de poro de entre 2 y 20 8.  nm y una densidad de poros de entre 300 porosljlm2 y 2000 porosl,u m2 , 9.  10	b) deposición de un metal puro sobre la superficie de la estructura obtenida en (a), 10.  e) opcionalmente, cuando el sustrato de la etapa (a) es diferente al silicio, 11.  colocación de un soporte de silicio sobre la superficie de la estructura obtenida en 12.  (b), 13.  d) tratamiento térmico de la estructura obtenida en (b) o en (c). 14.  15 15.  2.	El procedimiento, según la reivindicación 1, donde el sustrato de la etapa (a) se 16.  selecciona de entre Si, Cu, Ta, Ni, Co, Ti, Pt, Zr, Cr, Mo, acero, mica y cualquiera 17.  de sus combinaciones. 18.  20	3.	El procedimiento, según la reivindicación anterior, donde el sustrato de la etapa (a) 19.  se selecciona de entre Si, Cu y acero. 20.  4.	El procedimiento, según la reivindicación 2, donde el sustrato de la etapa (a) se 21.  selecciona de entre Ta y mica. 22.  25 23.  5.	El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 4, donde las esferas 24.  de la etapa (a) se seleccionan de entre esferas de Si02 o de C. 25.  6.	El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 5, donde las esferas 26.  30	de las etapa (a) tienen un diámetro de entre 100 nm y 800 nm. 27.  7.	El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 6, donde el depósito 28.  de las esferas de la etapa (a) se lleva a cabo por deposición por rotación. 29.  18 30. 8. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 7, donde la película porosa de la etapa (a) está formada por TiN, SiO, CN, TiCN, BN, un óxido de titanio o cualquiera de sus combinaciones. 31. 5 9. El procedimiento, según la reivindicación anterior, donde la pelicula porosa de la etapa (a) está formada por TiN O por SiO. 32. 10. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 8 o 9, donde el depósito de la película porosa de la etapa (a) se lleva a cabo por deposición física de vapor. 33. 11. El procedimiento, según la reivindicación anterior, donde la deposición física de vapor de la etapa (a) se selecciona, de manera independiente, de la lista que comprende deposición por evaporización térmica, deposición por ablación láser, deposición por bombardeo iónico y deposición epitaxial por haces moleculares. 34. 12. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 7, donde la película porosa de la etapa (a) está formada por un nanomaterial de carbono. 35. 13. El procedimiento, según la reivindicación anterior, donde el depósito de la película 20 porosa de la etapa (a) se lleva a cabo por inmersión o por rotación. 36. 14. El procedimiento, segun cualquiera de las reivindicaciones 1 a 13, donde la película porosa de la etapa (a) tiene un espesor de entre 20 nm y 1000 nm. 37. 25 15. El procedimiento, según la reivindicación anterior, donde la película porosa de la etapa (a) tiene un espesor de 200 nm. 38. 16. El procedimiento, segun cualquiera de las reivindicaciones 1 a 15, donde la pelieula porosa de la etapa (a) tiene un tamaño de poro de entre 5 y 10 nm. 39. 17. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 16, donde la película porosa de la etapa (a) tiene una densidad de poros de entre 500 porosljlm2a 1000 poros/jlm2. 40. 18. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 17, donde en la etapa (a) de deposición de una película porosa se utiliza una máscara. 41. 19. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 18, donde el metal 42. 5 de la etapa (b) se selecciona de la lista que comprende Au, Pt, Fe, Sn, Co, Ge y Ni. 43. 20. El procedimiento, según la reivindicación anterior, donde el metal de la etapa (b) es 44. Au. 10 45. 21 . El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones de 1 a 20, donde la película de metal puro depositada en la etapa (b) tiene un espesor de entre 2 nm y 30nm. 46. 15 22. El procedimiento, según la reivindicación anterior, donde la película de metal puro depositada en la etapa (b) tiene un espesor de 5 nm. 47. 23. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 22, donde la 48. deposición del metal en la etapa (b) se lleva a cabo mediante deposición fisica en 20 fase vapor. 49. 24. El procedimiento, según la reivindicación anterior, donde la deposición física en fase vapor del metal en la etapa (b) se selecciona, de manera independiente, de la lista que comprende deposición por evaporización térmica, deposición por ablación 50. 25 láser, deposición por bombardeo iónico y deposición epitaxial por haces moleculares. 51. 25. El procedimiento, según la reivindicación anterior, donde la deposición física en fase vapor del metal en la etapa (b) es la deposición por bombardeo iÓnico. 52. 26. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 25, donde el tratamiento térmico de la etapa (d) se lleva a cabo a una temperatura de entre 800 y 1200 'C. 53. 27. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 26, donde el tratamiento térmico de la etapa (d) se lleva a cabo durante un periodo de tiempo de entre 30 y 60 minutos. 54. 5 28. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 27, donde el tratamiento térmico de la etapa (d) se lleva a cabo a una temperatura de 1200 'C y un periodo de tiempo de entre 30 y 60 minutos. 55. 29. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 27, donde el 56. 10 tratamiento térmico de la etapa (d) se lleva a cabo a una temperatura de 900 oC y un periodo de tiempo de entre 30 y 60 minutos. 57. 30. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 29, donde el 58. tratamiento térmico de la etapa (d) se lleva a cabo en presencia de un flujo de H2 y 15 Ar. 59. 31. El procedimiento, según la reivindicación anterior, donde la relación de H2 y Ar en el flujo es de 3 a 1. 60. 20 32. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 31 , donde el soporte de silicio de la etapa (e) es silicio monocristalino. 61. 33. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 32, que comprende una etapa adicional (e) de separación del soporte de silicio de la etapa (e). 62. 34. El procedimiento, segun la reivindicación anterior, donde la separación del soporte de silicio de la etapa (e) se lleva a cabo manualmente. 63. 35. El procedimiento, según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 34, que comprende 64. 30 una etapa adicional (f) donde se separan los nanohilos de silicio del sustrato de la etapa (a). 65. 36. El procedimiento, segun la reivindicación anterior, donde la etapa (f) se lleva a cabo por sonicación. 66. 37. Nanohilos de silicio soportados en un sustrato utilizado en la etapa (a) diferente al silicio, obtenibles según cualquiera de reivindicaciones 1 a 34. 67. 38. Uso de los nanohilos de silicio, según la reivindicación 37, para la fabricación de 5 baterías d e ión-litio. 68. 39. Uso de los nanohilos de silicio, según la reivindicación 37, para la fabricación de sensores. 69. 10 40. Uso de los nanohilos de silicio, según la reivindicación 37, como contactos. 70. 41 . Uso de los nanohilos de silicio, según la reivindicación anterior, como contactos de sistemas optoelectrónicos, fotovoltaicos o semiconductores.
