madrid2i

Resumen

In order to manufacture an intermediate-band solar cell, it is necessary to connect the intermediate band material (1) with an n-type semiconductor (2) and another p-type semiconductor (3), which will act as emitters. Said emitters must have external contact (4). In comparison with the traditional design of superimposed layers, the present invention proposes a lateral configuration, the 3 different materials being arranged horizontally across a support substrate. Said configuration solves the problem of thermal instability of the B1 material manufactured by ion implantation and the effect of implantation tails.

Reivindicaciones

1. 1. Procedimiento para la fabricación de una célula solar de BI caracterizado porque comprende, al menos, las siguientes etapas: 2. - una primera etapa de fabricación de un material semiconductor tipo n 3. (2) por implantación iónica; -una segunda etapa de fabricación de un material semiconductor tipo p 4. (3) por implantación iónica; -una tercera etapa de preamorfización de la capa que soportará el material de BI (1) ; -una cuarta etapa de fabricación del material de BI (1) por implantación 5. iónica de un centro profundo; -una quinta etapa de recocido láser; -una sexta etapa de pasivado de ambas caras de la célula (6) ; -una séptima etapa de creación de una capa antirreflectante (7) en ambas caras de la célula; donde la fabricación del material semiconductor tipo n (2) y la fabricación del material semiconductor tipo p (3) o bien se realizan con anterioridad a la cuarta etapa o bien se realizan simultáneamente a la cuarta etapa, donde la preamorfización precede a la fabricación del material de BI (1) , Y donde el material de BI (1) , el material del semiconductor tipo n (2) y el material semiconductor tipo p (3) se disponen en una configuración lateral sobre un sustrato de soporte (5) . 6. 2. Procedimiento para la fabricación de una célula solar de BI según la reivindicación 1 caracterizado porque el sustrato (5) es un material aislante o semiaislante. 7. 3. Procedimiento para la fabricación de una célula solar de BI según la reivindicación 1 caracterizado porque el sustrato es un semiconductor tipo n (2) o tipo P (3) . 8. 4. Procedimiento para la fabricación de una célula solar de BI según las reivindicaciones 1 y 3 caracterizado porque el material del semiconductor tipo n (2) y el material de BI (1) se disponen en una configuración horizontal sobre un sustrato semiconductor tipo p (3) . 9. 5. Procedimiento para la fabricación de una célula solar de BI según las reivindicaciones 1 y 3 caracterizado porque el material del semiconductor tipo p (3) Y el material de BI (1) se disponen en una configuración horizontal sobre un sustrato semiconductor tipo n (2) . 10. 6. Procedimiento para la fabricación de una célula solar de BI, según la reivindicación 1, caracterizado porque el pasivado de ambas caras de la célula se realiza con silicio amorfo hidrogenado de alta calidad. 11. 7. Procedimiento para la fabricación de una célula solar de BI, según las reivindicaciones 1 y 6, caracterizado porque el pasivado de ambas caras de la célula se realiza mediante un depósito químico de silicio amorfo hidrogenado de alta calidad en fase de vapor asistido por plasma de resonancia ciclotrónica de electrones a baja temperatura. 12. 8. Procedimiento para la fabricación de una célula solar de BI, según las reivindicaciones 1, 6 Y 7, caracterizado porque el pasivado de ambas caras de la célula se realiza a temperaturas inferiores a 200 oC. 13. 9. Procedimiento para la fabricación de una célula solar de BI, según la reivindicación 1 caracterizado porque la capa antirreflectante creada en ambas caras de la célula es de oxinitruro de silicio. 14. 10.Procedimiento para la fabricación de una célula solar de BI, según las reivindicaciones 1 y 9, caracterizado porque la capa antirreflectante creada en ambas caras de la célula se realiza mediante un depósito químico en fase de vapor asistido por plasma de resonancia ciclotrónica de electrones a baja temperatura. 15. 11. Procedimiento para la fabricación de una célula solar de BI, según las reivindicaciones 1, 9 Y 10, caracterizado porque el depósito de la capa antirreflectante en ambas caras de la célula se realiza a temperaturas inferiores a 200 oC.

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