madrid2i

Resumen

Fabrication of mosfet transistor gate structures on iii-v semiconductors. This invention proposes to apply the high-pressure spraying of scandium metal nanosheets and a lanthanide and its subsequent oxidation by room temperature plasma on semiconductor substrates iii-v, of interest for mosfet devices, both planar and finfets. The advantage of these semiconductors is that they have greater carrier mobility in the channel than the si, greater transconductance and lower switching delay with respect to current technology. Functional mos structures are obtained on semiconductor alternatives to the si with an optimal step coating. Only high-medium vacuum technologies are required and they have a lower environmental impact than their alternatives. It implies a simplification of the manufacturing process, since no filtering-cleaning process has to be carried out to clean up very harmful waste for the environment and to reduce the vacuum times prior to depositing. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)

Reivindicaciones

1. Reivindicaciones 2. 1. Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET caracterizado porque comprende las fases: 3. depósito por pulverización de alta presión o High Pressure Spuftering (HPS) de al menos un material metálico de tierras raras sobre la superficie de un semiconductor del grupo III-V, mediante la utilización de un sistema de blancos móviles que permite cambiar de blanco durante el proceso sin sacar la muestra del sistema, en atmósfera de Ar; 4. oxidación por plasma del conjunto semiconductor-metal; 5. depósito de una primera capa del electrodo metálico superior de la estructura de puerta por bombardeo de un blanco de Ti mediante la técnica de High Pressure Sputtering (HPS) en atmósfera mixta de N2 y Ar para obtener TiN; 6. depósito de una segunda capa sobre la primera del electrodo metálico superior de la estructura de puerta por bombardeo de un blanco de Ta mediante la técnica de High Pressure Spuftering (HPS) en atmósfera mixta de N2 y Ar para obtener TaN. 7. 2. Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET según la reivindicación 1 caracterizado porque el material metálico de tierras raras tiene por composición ScxGd1-x03donde Q<x<1. 8. 3. Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET según la reivindicación 1 y 2 caracterizado porque el ScxGd1-x0 3 se sustituye por ScGd03. 9. 4. Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET según la reivindicación 1 y 2 caracterizado porque el Gd se sustituye por Dy. 10. 5. Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET según las reivindicaciones 1 a 4 caracterizado porque el semiconductor III-V es InP. 11. 6. Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET según las reivindicaciones 1 a 4 caracterizado porque el semiconductor III-V es GaAs. 12. 7. Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET según las reivindicaciones 1 a 4 caracterizado porque el semiconductor III-V es InxGa1_xAs, donde 0<x<1. 13. 8. Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET 5 14. según las reivindicaciones 1 a 4 caracterizado porque el semiconductor III-V se sustituye por SixGe1_x, donde 0<x<1. 15. 9. Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET según la reivindicación 1 caracterizado porque la arquitectura del transistor MOSFET en lugar de planar es del tipo FinFET. 16. 10 10. Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET según la reivindicación 1 caracterizado porque la presión de trabajo en la pulverización varía entre 0,5 y 3 mbar. 17. 11. Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores 18. MOSFET según las reivindicaciones 1 y 10 caracterizado porque la presión 15 de trabajo en la pulverización es de 0,5 mbar. 19. 12. Método de fabricación de estructuras de puerta de transistores MOSFET según la reivindicación 1 caracterizado porque la pulverización de alta presión HPS y la oxidación se realizan a temperatura ambiente. 20. (4 ) 21. (3) 22. (2) 23. (6) 24. (5 ) 25. (1) 26. Figura 1 27. (14) 28. (12) 29. í (11) 30. (15) 31. (16) (17) 32. (13) 33. Figura 2.

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