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Surface treating method for aluminum alloy or compound of aluminum matrix, involves preparing surface of material, where surface is modified with laser, and ceramic support is provided with fine micro-structureCM Patents

Índice de la ficha

Updated at
24/07/2026
Numero publicacion
ES.2288424.A1
Fecha publicacion
01/01/2008
Numero solicitud
ES20060001688
Fecha presentacion
22/06/2006

En detalle

Resumen

The method involves preparing surface of the material, where the surface is modified with laser. The material includes an aluminum alloy or a compound of aluminum matrix, preferably with ceramic support. The ceramic support has a fine micro-structure and is resistant to wear and corrosion.

Reivindicaciones

1. 1. Método de tratamiento superficial de unmaterial, cuya composición comprende una aleación de aluminio ocompuesto de matriz de aluminio, donde dicho método comprende: 2. 2. Método según la reivindicación 1, donde elmaterial comprende un refuerzo cerámico. 3. 3. Método, según la reivindicación 2, donde elrefuerzo cerámico está presente en una proporción de menos del 50%en peso respecto del total del material. 4. 4. Método, según la reivindicación 3, donde elrefuerzo cerámico está presente en una proporción entre el 10 y el20% en peso respecto del total del material. 5. 5. Método, según la reivindicación 4, donde elrefuerzo cerámico es SiC. 6. 6. Método, según cualquiera de lasreivindicaciones anteriores, donde la preparación del materialcomprende el desbastado con lija de su superficie. 7. 7. Método, según cualquiera de lasreivindicaciones anteriores, donde la preparación del materialcomprende tratar la superficie con una disolución de sosa. 8. 8. Método, según cualquiera de lasreivindicaciones anteriores, donde el láser de diodo comprende unhaz continuo con una potencia de al menos de 200 W. 9. 9. Método, según la reivindicación 8, donde elláser de diodo comprende un haz continuo con una potencia de entre200 W y 1500 W. 10. 10. Método, según cualquiera de lasreivindicaciones anteriores, donde el láser de diodo comprende unavelocidad lineal de tratamiento al menos de 3 mm/s. 11. 11. Método, según la reivindicación 10, donde elláser de diodo comprende una velocidad lineal de tratamiento deentre 10 mm/s y 100 mm/s. 12. 12. Método, según cualquiera de lasreivindicaciones anteriores, donde el láser de diodo comprende unasuperficie iluminada de al menos de 0, 25 mm2. 13. 13. Método, según la reivindicación 12, donde elláser de diodo comprende una superficie iluminada de entre 0, 25mm2 y 1 cm2. 14. 14. Método, según cualquiera de lasreivindicaciones anteriores, donde el láser de diodo comprende unsolapamiento entre zonas afectadas por el calor. 15. 15.Método, según cualquiera de lasreivindicaciones 1-13, donde el láser de diodocomprende un solapamiento entre pasadas menor al 80%. 16. 16. Método, según la reivindicación 15, donde elláser de diodo comprende un solapamiento entre pasadas entre el 50y el 5%. 17. 17. Material en cuya composición comprende unaaleación de aluminio o compuesto de matriz de aluminio tratado conun método según cualquiera de las reivindicaciones1-16. 18. 18. Material, según la reivindicación anterior, cuya composición comprende un refuerzo cerámico. 19. 19. Material, según la reivindicación anterior, donde el refuerzo cerámico está en una proporción de menos del 50%en peso respecto del total del material. 20. 20. Material, según la reivindicación anterior, donde el refuerzo cerámico está en una proporción entre el 10 y el20% en peso respecto del total del material. 21. 21. Material, según la reivindicación anterior, donde el refuerzo cerámico es SiC. 22. 22. Uso de la material, según cualquiera de lasreivindicaciones 17-21, en aplicacionesindustriales que comprenden la industria aeroespacial y laindustria del transporte.

Etiquetas

Inventores
Rams Ramos JoaquinPardo Gutierrez del Cid AngelUrena Fernandez AlejandroMerino Casals Maria ConcepcioViejo Abrantes FernandoArrabal Duran RaulMerino Casals Maria Concepcion
Solicitantes
Universidad Rey Juan CarlosUniversidad Complutense de Madrid
Clasificacion ipc
B23K 26/ 352 A I
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