Reivindicaciones

1. 1. Método de fabricación de sustratos (1) decircuitos integrados basados en tecnología CMOS caracterizadopor comprender: 2. 2. Método de fabricación circuitos integradosbasados en tecnología CMOS caracterizado por comprender lasetapas primera a cuarta de fabricación del sustrato (1) de lareivindicación 1, en las que en la primera etapa, el materialaislante (3) se deposita en al menos una oblea (2) de soporteseleccionado entre duro o blando. 3. 3. Método de fabricación según reivindicación 2caracterizado porque la oblea es una oblea de soporte duroseleccionado entre Al2O3, SiO2 o Si3N4. 4. 4. Método de fabricación según reivindicación 2caracterizado porque la oblea es una oblea de soporte blandoseleccionado entre material polimérico o compuesto orgánico. 5. 5. Método de fabricación circuitos integradosinterconexionados tridimensionalmente caracterizado porcomprender las etapas primera a cuarta de fabricación del sustrato (1) de la reivindicación 1 sobre el que se fabrica el nuevo circuitointegrado con tecnología CMOS, en las que en la primera etapa, elmaterial aislante (3) se deposita en al menos un circuito integrado (6) con tecnología CMOS.