Reivindicaciones

1. 1. Un procedimiento de obtención de nanohilos desilicio que comprende: 2. 2. Procedimiento según la reivindicación 1, donde el soporte del paso (b) es de tipo monocristalino. 3. 3. Procedimiento según la reivindicación 1, donde el metal a depositar en el paso (c) es un metal, una aleaciónde al menos dos metales, un elemento semimetálico u otro compuestometálico seleccionado del grupo que comprende óxido, sulfuro, carburo o nitruro. 4. 4. Procedimiento según cualquiera de lasreivindicaciones 1 y 3, donde el metal es de transición interna oexterna. 5. 5. Procedimiento según la reivindicación 4, donde el metal se selecciona de la lista que comprende Fe, Pt, Ir, Au, Zr, Ni, Nb o Co. 6. 6. Procedimiento según cualquiera de lasreivindicaciones 1 a 5, donde la deposición y el crecimiento delmetal en fase gas del paso (c) se lleva a cabo mediante deposiciónfísica en fase vapor. 7. 7. Procedimiento según la reivindicación 6, donde la deposición del paso (c) se lleva a cabo mediante bombardeoiónico. 8. 8. Procedimiento en el que el tratamiento de lasmembranas recubiertas según cualquiera de las reivindicaciones 6 a 7se lleva a cabo en flujo de hidrógeno. 9. 9. Procedimiento según cualquiera de lasreivindicaciones 1 a 8, donde el tratamiento térmico se lleva a cabohasta una temperatura de hasta 1200ºC, preferiblemente de hasta900ºC 10. 10. Nanohilos de silicio obtenibles por elprocedimiento según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 9. 11. 11. Uso de los nanohilos según la reivindicación10, para el desarrollo y mejora de baterías deión-litio, para nanocontactos en el desarrollo desistemas optoelectrónicos, para aplicaciones en sistemasfotovoltaicos para el desarrollo de soportes catalíticos y para eldesarrollo de sensores y semiconductores.