Reivindicaciones

1. 1. Material de Silicio de banda intermediacaracterizado por comprender una variedad de silicio quetiene un ancho de banda prohibida con valores entre 1.7 y 2.5 eV, ypor incorporar, para formar la banda intermedia, átomos de unelemento de transición ligero o medio, seleccionado entre los grupos4-11 de la tabla periódica, situados en posicionescristalinas reticulares o intersticiales de dicha variedad desilicio. 2. 2. Material de Silicio de banda intermedia segúnla reivindicación 1 caracterizado porque la variedad desilicio es una estructura con porosidad cristalina. 3. 3. Material de Silicio de banda intermedia segúnla reivindicación 2 caracterizado porque la variedad desilicio es un clatrato de silicio, pudiendo éste contener en algunade sus posiciones reticulares algún elemento sustituyente que noafecte de forma importante al bangap final. 4. 4. Material de Silicio de banda intermedia segúnla reivindicación 1 caracterizado porque la variedad desilicio es silicio nanoestructurado con nanoporos o en forma denanocristales, nanopartículas, nanohilos o nanocapas, o un silicioamorfo parcialmente hidrogenado o/y aleado con carbono. 5. 5. Material de Silicio de banda intermedia segúnreivindicación 1-4 caracterizado porque elelemento de transición es vanadio, situándose los átomos de éstesustituyendo posiciones de átomos de silicio. 6. 6. Material de Silicio de banda intermedia segúnreivindicación 1-3 caracterizado porque elelemento de transición es plata, situándose los átomos de ésta enposiciones del interior de las cavidades de la estructuraclatrato. 7. 7. Uso del material descrito en lasreivindicaciones 1-6 como absorbentes de luz endispositivos fotovoltaicos que aprovechan la estructura electrónicade banda intermedia. 8. 8. Uso del material descrito en lasreivindicaciones 1-6 como absorbentes de luz ensistemas fotocatalíticos o fotoelectroquímicos que aprovechan laestructura electrónica de banda intermedia. 9. 9. Uso del material descrito en lasreivindicaciones 1-6 como convertidores fotónicos"hacia arriba o hacia abajo", también llamadosup-converters o down-converters, queaprovechan la estructura electrónica de banda intermedia. 10. 10. Uso del material descrito en lasreivindicaciones 1-6 en dispositivos deespintrónica o de detección de radiación que aprovechan laestructura electrónica de banda intermedia.