Reivindicaciones

1. 1. Uso de material modificado en su topografíasuperficial mediante la fabricación de una red de cavidades rellenasde otro material con un índice de refracción diferente, endispositivos para la generación de corriente eléctrica a partir deuna luz incidente. 2. 2. Uso del material según reivindicación 1caracterizado por que la red de cavidades del material estánrellenas de aire con índice de refracción igual a 1. 3. 3. Uso del material según las reivindicacionesanteriores caracterizado por ser un materialsemiconductor. 4. 4. Uso del material según la reivindicación 3caracterizado por ser un material semiconductorIII-V. 5. 5. Uso del material según la reivindicación 3caracterizado porque el material semiconductor es InP, o bienInGaP. 6. 6. Uso del material según las reivindicacionesanteriores en el que las cavidades están espaciadas regularmente enforma de red bidimensional. 7. 7. Uso del material según la reivindicación 5caracterizado porque las cavidades están separadas al menos50 nm entre sus centros. 8. 8. Uso del material mencionado en lareivindicaciones anteriores en células solares, fotodetectores yaparatos termofotovoltáicos. 9. 9. Dispositivo caracterizado porquecomprende el material mencionado en las reivindicaciones1-6 y una célula solar, de forma que el material sedeposita sobre la superficie de la célula solar. 10. 10. Dispositivo según la reivindicación 8caracterizado porque la célula solar es un sustrato deGermanio (Ge) y la lámina de material depositado en su superficie esde fosfuro de Galio e Indio (InGaP) . 11. 11. Dispositivo caracterizado porquecomprende el material mencionado en las reivindicaciones1-6 y un fotodetector, de forma que el material sedeposita sobre la superficie del fotodetector. 12. 12. Dispositivo caracterizado porquecomprende el material mencionado en lasreivindicaciones1-6 y un aparatotermo-fotovoltaico, de forma que el material sedeposita sobre la superficie del aparato. 13. 13. Dispositivo caracterizado por ser unacélula solar o fotodetector en el que se ha modificado latopografía superficial del mismo según las características delmaterial mencionado en las reivindicaciones 1-6.