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Procedure for obtaining silicon nanohyles. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)CM Patents

Índice de la ficha

Updated at
24/07/2026
Numero publicacion
ES.2366840.A1
Fecha publicacion
26/10/2011
Numero solicitud
ES20100030501
Fecha presentacion
06/04/2010

En detalle

Resumen

Procedure for obtaining silicon nanowires. Simple experimental procedure that allows the use of porous "template" membranes for the growth of silicon nanowires with a controlled dimensionality (diameter and length). This procedure is based on the controlled thermal treatment of the metal-supported stencil membranes supported on a silicon crystalline substrate that allows the production of silicon nanowires. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)

Reivindicaciones

1. 1. Un procedimiento de obtención de nanohilos desilicio que comprende: 2. 2. Procedimiento según la reivindicación 1, donde el soporte del paso (b) es de tipo monocristalino. 3. 3. Procedimiento según la reivindicación 1, donde el metal a depositar en el paso (c) es un metal, una aleaciónde al menos dos metales, un elemento semimetálico u otro compuestometálico seleccionado del grupo que comprende óxido, sulfuro, carburo o nitruro. 4. 4. Procedimiento según cualquiera de lasreivindicaciones 1 y 3, donde el metal es de transición interna oexterna. 5. 5. Procedimiento según la reivindicación 4, donde el metal se selecciona de la lista que comprende Fe, Pt, Ir, Au, Zr, Ni, Nb o Co. 6. 6. Procedimiento según cualquiera de lasreivindicaciones 1 a 5, donde la deposición y el crecimiento delmetal en fase gas del paso (c) se lleva a cabo mediante deposiciónfísica en fase vapor. 7. 7. Procedimiento según la reivindicación 6, donde la deposición del paso (c) se lleva a cabo mediante bombardeoiónico. 8. 8. Procedimiento en el que el tratamiento de lasmembranas recubiertas según cualquiera de las reivindicaciones 6 a 7se lleva a cabo en flujo de hidrógeno. 9. 9. Procedimiento según cualquiera de lasreivindicaciones 1 a 8, donde el tratamiento térmico se lleva a cabohasta una temperatura de hasta 1200ºC, preferiblemente de hasta900ºC 10. 10. Nanohilos de silicio obtenibles por elprocedimiento según cualquiera de las reivindicaciones 1 a 9. 11. 11. Uso de los nanohilos según la reivindicación10, para el desarrollo y mejora de baterías deión-litio, para nanocontactos en el desarrollo desistemas optoelectrónicos, para aplicaciones en sistemasfotovoltaicos para el desarrollo de soportes catalíticos y para eldesarrollo de sensores y semiconductores.

Etiquetas

Inventores
Marquez Linares Francisco ManuelMorant Zacares CarmenElizalde Perez-Grueso EduardoZamora FelixLopez Vicente
Solicitantes
Universidad Autónoma de Madrid
Clasificacion ipc
B82B 1/ 00 A IB82B 3/ 00 A IC30B 28/ 02 A IC30B 29/ 06 A I
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