Logo
About usInnovation CMChallengesEuropa2iEntrepreneurshipR&D&I SearchAgentsEventsReports
en
USE OF MATERIAL WITH A MODIFIED SURFACE TOPOGRAPHY IN DEVICES FOR GENERATING AN ELECTRIC CURRENT FROM INCIDENT LIGHTCM Patents

Índice de la ficha

Updated at
24/07/2026
Numero publicacion
WO.2009133225.A1
Fecha publicacion
05/11/2009
Numero solicitud
WO2009ES70041
Fecha presentacion
24/02/2009

En detalle

Resumen

The invention is based on the observation by the inventors that modification of the surface topography of materials through the creation of an ordered network of cavities filled with another material with a different refractive index generates photonic bands at the surface of the material that alter the refractive index of the material on which said cavities are created. Depending on the angle of incidence and the wavelength of the light, this change in refractive index can facilitate or inhibit the transmission and reflection of the light. On the basis of this new observed property, the topography of a solar cell was modified by creating an ordered network of cavities filled with air, and it was confirmed that there was an increased generation of electricity from incident light than in a solar cell with the same characteristics but without a modified surface topography.

Reivindicaciones

1. 1. Uso de material modificado en su topografíasuperficial mediante la fabricación de una red de cavidades rellenasde otro material con un índice de refracción diferente, endispositivos para la generación de corriente eléctrica a partir deuna luz incidente. 2. 2. Uso del material según reivindicación 1caracterizado por que la red de cavidades del material estánrellenas de aire con índice de refracción igual a 1. 3. 3. Uso del material según las reivindicacionesanteriores caracterizado por ser un materialsemiconductor. 4. 4. Uso del material según la reivindicación 3caracterizado por ser un material semiconductorIII-V. 5. 5. Uso del material según la reivindicación 3caracterizado porque el material semiconductor es InP, o bienInGaP. 6. 6. Uso del material según las reivindicacionesanteriores en el que las cavidades están espaciadas regularmente enforma de red bidimensional. 7. 7. Uso del material según la reivindicación 5caracterizado porque las cavidades están separadas al menos50 nm entre sus centros. 8. 8. Uso del material mencionado en lareivindicaciones anteriores en células solares, fotodetectores yaparatos termofotovoltáicos. 9. 9. Dispositivo caracterizado porquecomprende el material mencionado en las reivindicaciones1-6 y una célula solar, de forma que el material sedeposita sobre la superficie de la célula solar. 10. 10. Dispositivo según la reivindicación 8caracterizado porque la célula solar es un sustrato deGermanio (Ge) y la lámina de material depositado en su superficie esde fosfuro de Galio e Indio (InGaP) . 11. 11. Dispositivo caracterizado porquecomprende el material mencionado en las reivindicaciones1-6 y un fotodetector, de forma que el material sedeposita sobre la superficie del fotodetector. 12. 12. Dispositivo caracterizado porquecomprende el material mencionado en lasreivindicaciones1-6 y un aparatotermo-fotovoltaico, de forma que el material sedeposita sobre la superficie del aparato. 13. 13. Dispositivo caracterizado por ser unacélula solar o fotodetector en el que se ha modificado latopografía superficial del mismo según las características delmaterial mencionado en las reivindicaciones 1-6.

Etiquetas

Inventores
Postigo Resa Pablo AitorMartinez Rodriguez Luis JavierRodriguez Alija AlfonsoBriones Fernandez-Pola FernandoGonzalez Diez Maria YolandaGonzalez Sotos LuisaPrieto Gonzalez IvanAndreani LucioGaliana BeatrizMarti Vega AntonioAlgora del Valle CarlosLuque Lopez AntonioGalli MatteoBriones Fernandez-Pola FernandBriones Fernandez-Pola, Fernando
Solicitantes
Consejo Superior de Investigaciones CientíficasUniversidad Politécnica de MadridUniv de PaviaConsejo Superior de Investigaciones (CsicUniv Politecnica de Madrid 5Univ de Pavia 5Postigo Resa Pablo AitorMartinez Rodriguez Luis JavierRodriguez Alija AlfonsoBriones Fernandez-Pola FernandGonzalez Diez Maria YolandaGonzalez Sotos LuisaAndreani LucioGalli MatteoLuque Lopez AntonioMarti Vega AntonioAlgora del Valle CarlosGaliana BeatrizPrieto Gonzalez IvanBriones Fernandez-Pola, Fernando
Clasificacion ipc
H01L 31/ 0216 A IH01L 31/ 0236 A I
Logo

Innovation CM
Challenges
Europa2i
Entrepreneurship
R&D&I Search
Agents
Events
Reports
About us
Contact
Give us your opinion
Cookies
Legal notice
Privacy

© Copyright Espacio Madrileño de Investigación e Innovación 2026