Resumen
Semiconductor device, comprising a substrate (40), metallized contacts (30, 32), a succession of regions (10) formed by highly misaligned semiconductor alloys in a network, arranged one after another and with opposite doped types between adjacent regions, and carrier blocking regions (20, 22) with the same type of doping and located at both ends of the succession of regions (10). The succession of regions (10) may comprise a first region (12) with a first semiconductor of a highly network mismatched alloy with doping of a first type, a second region (14) with a second semiconductor of a highly network mismatched alloy with doping of a second type as opposed to the first type, optionally, a third region (16) with a third semiconductor of a highly network mismatched alloy with a doping like that of the first type, so on can increase the number of regions. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)
Reivindicaciones
1. REIVINDICACIONES 1. Dispositivo semiconductor, que comprende un sustrato (40) y unos contactos metalizados (30, 32), caracterizado por que el dispositivo semiconductor (1) comprende adicionalmente: una sucesión de regiones (10) formadas por aleaciones de semiconductores altamente desajustadas en red, dispuestas una a continuación de otra y con tipos de dopados opuestos entre regiones adyacentes de dicha sucesión de regiones (10); y regiones bloqueadoras de portadores (20, 22) con el mismo tipo de dopado y situadas en ambos extremos de la sucesión de regiones (10). 2. Dispositivo semiconductor según la reivindicación 1, caracterizado por que la sucesión de regiones (10) comprende: una primera región (12) con un primer semiconductor de una aleación altamente desajustada en red con dopado de un primer tipo; una segunda región (14) con un segundo semiconductor de una aleación altamente desajustada en red con dopado de un segundo tipo opuesto al primer tipo. 3. Dispositivo semiconductor según la reivindicación 2, caracterizado por que la sucesión de regiones (10) comprende: una tercera región (16) con un tercer semiconductor de una aleación altamente desajustada en red con un dopado como el del primer tipo. 4. Dispositivo semiconductor según la reivindicación 3, caracterizado por que la sucesión de regiones (10) comprende una o más regiones adicionales, con dopados opuestos entre regiones adyacentes, y donde cada región adicional está formada por un semiconductor de una aleación altamente desajustada en red. 5. Dispositivo semiconductor según cualquiera de las reivindicaciones anteriores 2 a 4, caracterizado por que el dopado de primer tipo esny el dopado de segundo tipo esp. 6. Dispositivo semiconductor según cualquiera de las reivindicaciones anteriores 2 a 4, caracterizado por que el dopado de primer tipo espy el dopado de segundo tipo esn. 7. Dispositivo semiconductor según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que las regiones bloqueadoras de portadores comprenden una región bloqueadora superior (22) y una región bloqueadora inferior (20) que encierran la sucesión de regiones (10), donde ambas regiones bloqueadoras (20, 22) son de un cuarto semiconductor. 8. Dispositivo semiconductor según la reivindicación 7, caracterizado por que el semiconductor de las regiones bloqueadoras (20, 22) pertenece a los grupos III-V o II-VI con un banda prohibida de mayor energía que los semiconductores altamente desajustados en red de la sucesión de regiones (10). 9. Dispositivo semiconductor según la reivindicación 8, caracterizado por que el semiconductor de las regiones bloqueadoras (20, 22) es cualquiera de los siguientes: AlGaAs, GaP, GaAsIn, InGaP, ZnO, ZnTe, ZnSe. 10. Dispositivo semiconductor según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que las aleaciones de semiconductores altamente desajustadas en red que forman cada región (12, 14, 16) de la sucesión de regiones (10) se seleccionan de entre las siguientes: GaAsN, GaAsNP, GaInNAs, ZnOTe, ZnOSe, ZnSTe, ZnSeTe. 11. Dispositivo semiconductor según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que comprende una región buffer (50), ubicada entre el sustrato (40) y una de las regiones bloqueadoras de portadores, y configurada para actuar como capa de campo superficial posterior con efecto de reducir la velocidad de recombinación superficial posterior. 12. Dispositivo semiconductor según la reivindicación 11, caracterizado por que la región buffer (50) está formada por un semiconductor con el mismo tipo de dopado que el sustrato (40) y la región bloqueadora de portadores adyacente, donde el semiconductor se selecciona de entre los siguientes: GaAs, GaP, ZnO. 13. Dispositivo semiconductor según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que está comprendido entre contactos metalizados: un contacto superior (32) formado por una capa discontinua metálica que deja pasar la luz y un contacto inferior (30). 14. Dispositivo semiconductor según la reivindicación 13, caracterizado por que comprende una región protectora (60) dispuesta entre el contacto superior (32) y una de las regiones bloqueadoras de portadores (22) con el fin de evitar la oxidación de dicha región bloqueadora de portadores. 15. Dispositivo semiconductor según la reivindicación 14, caracterizado por que la región protectora (60) está formada por GaAs y la región bloqueadora de portadores adyacente (22) está formada por AlGaAs. 16. Dispositivo semiconductor según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que el sustrato (40) está formado por un semiconductor seleccionado de entre los siguientes: GaAs, GaP, ZnO. 17. Dispositivo semiconductor según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que las regiones del dispositivo semiconductor (1) son capas. 18. Dispositivo semiconductor según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que las regiones del dispositivo semiconductor (1) son nanohilos. 19. Dispositivo semiconductor según cualquiera de las reivindicaciones anteriores, caracterizado por que comprende al menos un terminal de contacto en al menos una capa intermedia para controlar el transporte de carga en el conjunto de dispositivo.
